RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
34
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2552
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link