RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
34
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2552
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link