RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
64
Wokół strony 63% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
16
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
64
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1909
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link