RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3608
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link