RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3427
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link