RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
41
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
41
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2797
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link