RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
41
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
41
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2797
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link