RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
89
Wokół strony 73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
89
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1571
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link