RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
24
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3261
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link