RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3212
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link