RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
36
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
36
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2971
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link