RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
24
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
21
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3507
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link