RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3557
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.B1GE3.AFF0C 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Golden Empire CL9-9-9 DDR3 1600 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link