RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
4084
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link