RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3000
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link