RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3327
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link