RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3417
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link