RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
24
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.2
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
21.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
4043
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link