RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3372
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link