RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
24
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
19
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3383
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link