RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
24
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3879
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link