RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3987
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link