RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3757
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link