RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
37
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
37
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3529
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link