RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3555
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link