RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3040
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link