RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
18.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
4114
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KX8388-ELG 512MB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link