RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3899
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link