RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3227
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link