RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3098
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Kingston 9905584-015.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link