RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
4069
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link