RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
16
24
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.3
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
21.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
16
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
22.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
21.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3952
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link