RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
14
24
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
26.4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
14
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
26.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
19.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
4362
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link