RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3501
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link