RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2903
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link