RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2673
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link