RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3255
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link