RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3255
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link