RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3533
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link