RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
77
Wokół strony 69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
77
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1688
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link