RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
5.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
51
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
5.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1941
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR3-1600 CL10 8GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link