RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
5.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
51
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
5.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1941
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link