RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
6.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
16
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2598
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link