RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
31
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2713
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link