RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
41
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
41
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2417
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link