RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2779
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link