RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2416
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link