RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2416
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link