RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2438
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link