RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2564
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link