RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2494
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link