RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
40
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
40
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2522
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Mushkin 991586 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link