RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2475
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link