RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
43
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
43
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
12.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2024
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link