RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1944
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Kingston KHX16 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link